VS-70MT060WSP参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-70MT060WSP概述

VISHAY VS-70MT060WSP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 96A, 2.3V, 378W, 600V, MTP

IGBT Module Single 600V 96A 378W Chassis Mount MTP

得捷:
IGBT MODULE 600V 96A 378W MTP

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 96A 16-Pin MTP

VS-70MT060WSP中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 378 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 7.43nF @30V

额定功率Max 378 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 378000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 MTP-12

外形尺寸

高度 16 mm

封装 MTP-12

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-70MT060WSP

描述：VISHAY VS-70MT060WSP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 96A, 2.3V, 378W, 600V, MTP