VS-GP100TS60SFPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GP100TS60SFPBF概述

IGBT 晶体管 Ic 100A VceOn1.16V Half Brdge Trench PT

IGBT Module PT, Trench Half Bridge 600V 337A 781W Chassis Mount INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 600V 337A INT-A-PAK

贸泽:
IGBT 晶体管 Ic 100A VceOn1.16V Half Brdge Trench PT

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 337A

VS-GP100TS60SFPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 781 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 781 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 781000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 30 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-GP100TS60SFPBF

型号： VS-GP100TS60SFPBF

描述：IGBT 晶体管 Ic 100A VceOn1.16V Half Brdge Trench PT