VS-GT50TP120N参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GT50TP120N概述

IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK

IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 100A 405W Chassis Mount INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 100A

安富利:
OUTPUT & SW MODULES - IAP IGBT

VS-GT50TP120N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 405000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 6.24nF @30V

额定功率Max 405 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 405000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 29.5 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GT50TP120N

描述：IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK