VS-GA100TS60SFPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GA100TS60SFPBF概述

VISHAY VS-GA100TS60SFPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 220A, 1.39V, 780W, 600V, INT-A-PAK

IGBT Module PT Half Bridge 600V 220A 780W Chassis Mount INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 220A 7-Pin INT-A-PAK

VS-GA100TS60SFPBF中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 780 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 16.25nF @30V

额定功率Max 780 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 780000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 30 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GA100TS60SFPBF

描述：VISHAY VS-GA100TS60SFPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 220A, 1.39V, 780W, 600V, INT-A-PAK