VS-GB100TP120U

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VS-GB100TP120U概述

IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT

IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 735W Chassis Mount INT-A-PAK


得捷:
IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK


贸泽:
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 150A


安富利:
OUTPUT & SW MODULES - IAP IGBT


VS-GB100TP120U中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 735000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 4.3nF @25V

额定功率Max 735 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 735000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 29.5 mm

封装 INT-A-PAK

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: VS-GB100TP120U
描述:IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT

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