VS-GB100TP120N

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VS-GB100TP120N概述

IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 650W Chassis Mount INT-A-PAK


得捷:
IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 200A


安富利:
OUTPUT & SW MODULES - IAP IGBT


儒卓力:
**IGBT 1200V 100A 1,8V INT-A-PAK **


VS-GB100TP120N中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 650000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.43nF @25V

额定功率Max 650 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 650000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 29.5 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-GB100TP120N
型号: VS-GB100TP120N
描述:IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

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