VS-40MT120UHAPBF

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VS-40MT120UHAPBF概述

IGBT 模块,VishayVishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括:升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接(H 桥)和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE(开)IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 Pb 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围(-40 °C 至 +175 °C) ### IGBT 模块,Vishay绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

The is a half-bridge ultrafast NPT IGBT Module suitable for welding, UPS and SMPS applications. It features outstanding ZVS and hard switching operation, excellent current sharing in parallel operation and very low junction to case thermal resistance.

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Positive VCEon temperature coefficient
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Square RBSOA
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HEXFRED® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery and low VF
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Al2O₃ DBC
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Very low stray inductance design for high speed operation
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Rugged with ultrafast performance
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Benchmark efficiency above 20kHz
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Low EMI, requires less snubbing
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Direct mounting to heat sink
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PCB solderable terminals
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UL approved file E78996
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10µs Short-circuit capability
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8 to 60kHz Speed
VS-40MT120UHAPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 463 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 8.28nF @30V

额定功率Max 463 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 463 W

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 MTP-12

外形尺寸

长度 63.5 mm

宽度 33 mm

高度 16 mm

封装 MTP-12

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Power Management, Maintenance & Repair

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: VS-40MT120UHAPBF
描述:IGBT 模块,Vishay Vishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括:升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接(H 桥)和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE(开)IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 Pb 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围(-40 °C 至 +175 °C) ### IGBT 模块,Vishay 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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