VS-40MT120UHTAPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-40MT120UHTAPBF概述

VISHAY VS-40MT120UHTAPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 80A, 5.35V, 463W, 1.2kV, MTP

IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 80A 463W Chassis Mount MTP

得捷:
IGBT MODULE 1200V 80A 463W MTP

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 80A 12-Pin MTP

VS-40MT120UHTAPBF中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 463 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 8.28nF @30V

额定功率Max 463 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 463000 mW

封装参数

引脚数 12

封装 MTP-12

外形尺寸

高度 16 mm

封装 MTP-12

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-40MT120UHTAPBF

描述：VISHAY VS-40MT120UHTAPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 80A, 5.35V, 463W, 1.2kV, MTP