VS-GB150TH120U参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GB150TH120U概述

INT-A-PAK

IGBT Module Half Bridge 1200V 280A 1147W Chassis Mount Double INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 1200V 280A INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 280A 7-Pin Double INT-A-PAK

VS-GB150TH120U中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1147000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 12.7nF @30V

额定功率Max 1147 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1147000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-GB150TH120U

型号： VS-GB150TH120U

描述：INT-A-PAK