VS-GT50TP60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GT50TP60N概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 85A 7Pin INT-A-PAK

IGBT Module Trench Half Bridge 600V 85A 208W Chassis Mount INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 85A 7-Pin INT-A-PAK

VS-GT50TP60N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 208000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.03nF @30V

额定功率Max 208 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 30 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GT50TP60N

描述：Trans IGBT Module N-CH 600V 85A 7Pin INT-A-PAK