VS-GT100TP60N

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VS-GT100TP60N概述

VISHAY VS-GT100TP60N IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160A, 1.65V, 417W, 600V, INT-A-PAK

IGBT Module Trench Half Bridge 600V 160A 417W Chassis Mount INT-A-PAK


得捷:
IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 160A


安富利:
OUTPUT & SW MODULES - IAP IGBT


VS-GT100TP60N中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual N-Channel

耗散功率 417 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 7.71nF @30V

额定功率Max 417 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 417000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 29.5 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-GT100TP60N
型号: VS-GT100TP60N
描述:VISHAY VS-GT100TP60N IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160A, 1.65V, 417W, 600V, INT-A-PAK

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