VS-GB75TP120N参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GB75TP120N概述

IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK

IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 543W Chassis Mount INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 150A

VS-GB75TP120N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 543000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.52nF @25V

额定功率Max 543 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 543000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 29.5 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-GB75TP120N

型号： VS-GB75TP120N

描述：IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK