VS-GB200LH120N参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GB200LH120N概述

INT-A-PAK

IGBT Module Single 1200V 370A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 1200V 370A INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 420A 5-Pin Double INT-A-PAK

安富利:
OUTPUT & SW MODULES - DIAP IGBT

VS-GB200LH120N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1562000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 18nF @25V

额定功率Max 1562 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1562000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 5

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GB200LH120N

描述：INT-A-PAK