VS-GB200TH120U参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GB200TH120U概述

INT-A-PAK

IGBT Module Half Bridge 1200V 330A 1316W Chassis Mount Double INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 1200V 330A INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 330A

安富利:
OUTPUT & SW MODULES - DIAP IGBT

VS-GB200TH120U中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1316000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 16.9nF @30V

额定功率Max 1316 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1316000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

高度 30 mm

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GB200TH120U

描述：INT-A-PAK