VQ1000P-E3

VQ1000P-E3图片1
VQ1000P-E3图片2
VQ1000P-E3图片3
VQ1000P-E3图片4
VQ1000P-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 5.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 830 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买VQ1000P-E3
型号: VQ1000P-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.225A 14Pin PDIP

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台