VRF151G

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VRF151G概述

射频功率MOSFET垂直 RF POWER VERTICAL MOSFET

RF POWER VERTICAL MOSFET

The is designed for broadband commercial and military applications at frequencies to 175MHz. The high power, high gain, and broadband perfor mance of this device make possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.

FEATURES

• Improved Ruggedness VBRDSS= 170V 

• 300W with 16dB Typical Gain @ 175MHz, 50V

• Excellent Stability & Low IMD

• Common Source Configuration  

• RoHS Compliant

• 5:1 Load VSWR Capability at Specified Operating Conditions

• Nitride Passivated

• Refractory Gold Metallization   

• High Voltage Replacement for MRF151G

VRF151G中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

耗散功率 300000 mW

输出功率 300 W

增益 16 dB

测试电流 500 mA

输入电容Ciss 375pF @150VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300000 mW

额定电压 170 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VRF151G
型号: VRF151G
描述:射频功率MOSFET垂直 RF POWER VERTICAL MOSFET
替代型号VRF151G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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