VNS1NV0413TR

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VNS1NV0413TR中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 1.7 A

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 8.3 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

输入数 1

耗散功率Max 8300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNS1NV0413TR
型号: VNS1NV0413TR
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:VNS1N系列 40 V 250 mOhm 1.7 A OMNIFET 自保护 功率MOSFET - SOIC-8

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