VISHAY VSMY1850X01 红外发射器, 高速, 120 °, 0805, 100 mA, 10 ns, 10 ns
The is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, moulded in clear. It is suitable for high pulse current operation and floor life of 168h, MSL 3, according to J-STD-020.
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- AEC-Q101 qualified
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- High reliability
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- High radiant power
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- High radiant intensity
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- ±60° Angle of half sensitivity
上升/下降时间 0.01 µs
针脚数 2
正向电压 1.65 V
波长 850 nm
视角 120°
峰值波长 850 nm
耗散功率 190 mW
上升时间 10 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
下降时间 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 190 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 2012
封装 0805
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Sensing & Instrumentation, 车用, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, 照明, 传感与仪器, Lighting, 消费电子产品, Communications & Networking, Fibre Optics, 光纤
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
