OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
电源开关/驱动器 1:1 N 通道 6A SOT-223
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
贸泽:
Gate Drivers N-Ch 40V 6A OmniFET
艾睿:
Power Switch Lo Side 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Power Switch Lo Side 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 6A 4-Pin 3+Tab SOT-223 T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 6A SOT223
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 6A SOT223
额定电压DC 40.0 V
额定电流 6.00 A
输出接口数 1
供电电流 0.1 mA
漏源极电阻 60.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 7 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 470 ns
输出电流Max 6 A
输出电流Min 6 A
输入数 1
下降时间 350 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 7000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.50 mm
宽度 3.50 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
VNN7NV0413TR ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNN7NV04PTR-E 意法半导体 | 类似代替 | VNN7NV0413TR和VNN7NV04PTR-E的区别 |
VNN7NV04 意法半导体 | 功能相似 | VNN7NV0413TR和VNN7NV04的区别 |