VSLY3850概述
VISHAY VSLY3850 红外发射器, 高速, 18 °, T-1 3mm, 100 mA, 1.9 V, 10 ns, 10 ns
The is a 850nm high speed Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and moulded in a clear. It is suitable for high pulse current operation.
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- High speed
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- High radiant power
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- High radiant intensity
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- ±18° Angle of half intensity
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- Good spectral matching with CMOS cameras
VSLY3850中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 0.01 µs
针脚数 2
正向电压 1.65 V
波长 850 nm
视角 18°
峰值波长 870 nm
耗散功率 190 mW
上升时间 10 ns
正向电流 100 mA
正向电压Max 1.9 V
正向电流Max 100 mA
下降时间 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 190 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
高度 4.5 mm
封装 T-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 消费电子产品, Communications & Networking, Consumer Electronics, 通信与网络, 信号处理, Signal Processing
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买VSLY3850
型号： VSLY3850
描述：VISHAY VSLY3850 红外发射器, 高速, 18 °, T-1 3mm, 100 mA, 1.9 V, 10 ns, 10 ns