VND1NV04-1-E

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VND1NV04-1-E概述

门驱动器 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 1.7A DPAK


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK


贸泽:
门驱动器 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET


艾睿:
Power Switch Lo Side 1.7A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 1.7A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Win Source:
MOSFET OMNIFETII 40V 1.7A IPAK


VND1NV04-1-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 1.7 A

耗散功率 35000 mW

上升时间 500 ns

输出电流Max 1.7 A

输入数 1

下降时间 600 ns

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND1NV04-1-E
型号: VND1NV04-1-E
描述:门驱动器 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
替代型号VND1NV04-1-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND1NV04-1-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VND1NV04-1

意法半导体

完全替代

VND1NV04-1-E和VND1NV04-1的区别

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