VND10N06-E

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VND10N06-E概述

电源负载分配开关, 低压侧, 60 V输入, 10 A, 0.15 ohm, 1输出, TO-252-3

Description

The VND10N06 and VND10N06-1 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-2 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

■ Low current drawn from input pin

■ Logic level input threshold

■ ESD protection

■ Schmitt trigger on input

■ High noise immunity

VND10N06-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 15 A

供电电流 0.15 mA

针脚数 3

漏源极电阻 150 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

输出电流Max 6 A

输出电流Min 6 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VND10N06-E引脚图与封装图
VND10N06-E引脚图
VND10N06-E封装图
VND10N06-E封装焊盘图
在线购买VND10N06-E
型号: VND10N06-E
描述:电源负载分配开关, 低压侧, 60 V输入, 10 A, 0.15 ohm, 1输出, TO-252-3
替代型号VND10N06-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND10N06-E

ST Microelectronics 意法半导体

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VND10N06

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