OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Description
The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.
Features
■ Linear current limitation
■ Thermal shutdown
■ Short circuit protection
■ Integrated clamp
■ Low current drawn from input pin
■ Diagnostic feedback through input pin
■ ESD protection
■ Direct access to the gate of the Power MOSFET analog driving
■ Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive
额定电压DC 40.0 V
额定电流 3.50 A
输出接口数 1
输出电流 3.5 A
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 250 ns
输出电流Max 3.5 A
输入数 1
下降时间 250 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 7000 mW
电源电压Max 55 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.50 mm
宽度 3.50 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VNN3NV0413TR ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNN3NV04PTR-E 意法半导体 | 类似代替 | VNN3NV0413TR和VNN3NV04PTR-E的区别 |
NCV8402ASTT1G 安森美 | 功能相似 | VNN3NV0413TR和NCV8402ASTT1G的区别 |
NCV8402ASTT3G 安森美 | 功能相似 | VNN3NV0413TR和NCV8402ASTT3G的区别 |