OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
电源开关/驱动器 3.5A 8-SOIC
得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 3.5A 8-SOIC
艾睿:
Linear Current Limitation
安富利:
Power Switch Lo Side 3.5A 8-Pin SO N T/R
Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 3.5A 8-Pin SO N T/R
输出接口数 2
供电电流 0.1 mA
通道数 2
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 4000 mW
漏源击穿电压 45.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输出电流Max 3.5 A
输出电流Min 3.5 A
耗散功率Max 4000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VNS3NV04D13TR ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNS3NV04DPTR-E 意法半导体 | 完全替代 | VNS3NV04D13TR和VNS3NV04DPTR-E的区别 |
VNS3NV04D 意法半导体 | 完全替代 | VNS3NV04D13TR和VNS3NV04D的区别 |
VNS3NV04 意法半导体 | 功能相似 | VNS3NV04D13TR和VNS3NV04的区别 |