VND3NV04-1概述
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 3.5A I-PAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK
贸泽:
Gate Drivers N-Ch 40V 3.5A Omni
艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 7A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
VND3NV04-1中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电流 3.5 A
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输出电流Max 3.5 A
输入数 1
耗散功率Max 35000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买VND3NV04-1
型号： VND3NV04-1
描述：“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
替代型号VND3NV04-1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VND3NV04-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |