VND3NV04参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND3NV04概述

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 3.5A DPAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

贸泽:
门驱动器 N-Ch 40V 3.5A Omni

艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 7A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube

Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 7A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube

VND3NV04中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

输出电流 7 A

供电电流 0.1 mA

漏源极电阻 120 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

输出电流Max 3.5 A

输入数 1

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND3NV04

型号： VND3NV04

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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替代型号VND3NV04

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VND3NV04 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VND3NV0413TR 意法半导体	完全替代	VND3NV04和VND3NV0413TR的区别
VND3NV04TR-E 意法半导体	完全替代	VND3NV04和VND3NV04TR-E的区别

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