OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 3.5A I-PAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK
立创商城:
VND3NV04 1 E
艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 7A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 3.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
输出接口数 1
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 35000 mW
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
输出电流Max 3.5 A
输入数 1
耗散功率Max 35000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VND3NV04-1-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VND3NV04-1 意法半导体 | 类似代替 | VND3NV04-1-E和VND3NV04-1的区别 |