VN800STR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

VN800STR-E图片1

VN800STR-E图片2

VN800STR-E图片3

VN800STR-E图片4

VN800STR-E图片5

VN800STR-E图片6

VN800STR-E图片7

VN800STR-E概述

高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 700mA 8-SO

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

贸泽:
门驱动器 0.7A 36V HIGH SIDE

艾睿:
High-side driver with current limit

安富利:
Power Switch Hi Side 0.7A 8-Pin SO N T/R

Win Source:
HIGH SIDE DRIVER

VN800STR-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

供电电流 1.5 mA

耗散功率 4200 mW

输出电流Max 700 mA

输出电流Min 0.7 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 4200 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VN800STR-E

型号： VN800STR-E

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER

替代型号VN800STR-E

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

VN800STR-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VN800S-E

意法半导体

完全替代

VN800STR-E和VN800S-E的区别