VND7N04-1-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND7N04-1-E概述

Power Switch Lo Side 1Out 4A 0.28Ω Automotive 3Pin3+Tab IPAK Tube

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 4A I-PAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET

艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 11A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Win Source:
MOSFET OMNIFET 42V 7A IPAK

VND7N04-1-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 140 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

漏源击穿电压 42.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电压Max 18 V

输出电流Max 4 A

输入数 1

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND7N04-1-E

型号： VND7N04-1-E

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：Power Switch Lo Side 1Out 4A 0.28Ω Automotive 3Pin3+Tab IPAK Tube

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