VND7NV04-1

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VND7NV04-1概述

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 6A I-PAK


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK


艾睿:
Power Switch Lo Side 6A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


VND7NV04-1中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60.0 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输出电流Max 6 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VND7NV04-1
型号: VND7NV04-1
描述:OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
替代型号VND7NV04-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND7NV04-1

ST Microelectronics 意法半导体

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VND7NV04-1-E

意法半导体

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VND7NV04-1和VND7NV04-1-E的区别

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