“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET"Fully autoprotected power MOSFET
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 4A I-PAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK
艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 11A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
输出接口数 1
漏源极电阻 140 mΩ
耗散功率 60000 mW
漏源击穿电压 42.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
输入电压Max 18 V
输出电流Max 4 A
输入数 1
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VND7N04-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VND7N04-1-E 意法半导体 | 类似代替 | VND7N04-1和VND7N04-1-E的区别 |