VND7NV0413TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND7NV0413TR概述

â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 6A DPAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND7NV0413TR中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60000 mW

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输出电流Max 6 A

输入数 1

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND7NV0413TR

型号： VND7NV0413TR

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

立即咨询

替代型号VND7NV0413TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VND7NV0413TR ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VND7NV04TR-E 意法半导体	类似代替	VND7NV0413TR和VND7NV04TR-E的区别
VND7NV04-E 意法半导体	类似代替	VND7NV0413TR和VND7NV04-E的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

VND7NV0413TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

VND7NV04TR-E

意法半导体

类似代替

VND7NV0413TR和VND7NV04TR-E的区别

VND7NV04-E

意法半导体

类似代替

VND7NV0413TR和VND7NV04-E的区别