OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 3.5A DPAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
艾睿:
Linear Current Limitation
额定电压DC 70.0 V
额定电流 5.00 A
输出接口数 1
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 70 V
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输出电流Max 3.5 A
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VND5N0713TR ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VND5N07TR-E 意法半导体 | 类似代替 | VND5N0713TR和VND5N07TR-E的区别 |
VND5N07 意法半导体 | 类似代替 | VND5N0713TR和VND5N07的区别 |
BTS118D 英飞凌 | 功能相似 | VND5N0713TR和BTS118D的区别 |