VNB14N0413TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNB14N0413TR概述

MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 10A D2PAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

艾睿:
Power Switch Lo Side 10A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 10A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

VNB14N0413TR中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

供电电流 0.25 mA

耗散功率 50000 mW

输出电流Max 10 A

输出电流Min 10 A

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VNB14N0413TR

型号： VNB14N0413TR

描述：MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK

替代型号VNB14N0413TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VNB14N0413TR ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VNB14N04TR-E 意法半导体	完全替代	VNB14N0413TR和VNB14N04TR-E的区别
VNB14N04 意法半导体	类似代替	VNB14N0413TR和VNB14N04的区别
VNB14N04-E 意法半导体	类似代替	VNB14N0413TR和VNB14N04-E的区别