VND14NV0413TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND14NV0413TR概述

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 12A DPAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

贸泽:
Gate Drivers N-Ch 40V 12A OmniFET

艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND14NV0413TR中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

输出电流 12 A

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

输出电流Max 12 A

输入数 1

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND14NV0413TR

型号： VND14NV0413TR

描述：“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

替代型号VND14NV0413TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VND14NV0413TR ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VND14NV04 意法半导体	完全替代	VND14NV0413TR和VND14NV04的区别
VND14NV04TR-E 意法半导体	类似代替	VND14NV0413TR和VND14NV04TR-E的区别
VND14NV04-E 意法半导体	类似代替	VND14NV0413TR和VND14NV04-E的区别