VNB10N07参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNB10N07概述

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 7A D2PAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

艾睿:
Linear Current Limitation

VNB10N07中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 140 mΩ

耗散功率 50.0 W

漏源击穿电压 10.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

输出电流Max 7 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VNB10N07引脚图与封装图

在线购买VNB10N07

型号： VNB10N07

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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