VNV10N07参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNV10N07概述

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 7A 10-PowerSO

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 70V 10A OmniFET

艾睿:
Power Switch Lo Side 7A 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube

VNV10N07中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

输出电流 7 A

漏源极电阻 100 mΩ

耗散功率 50000 mW

漏源击穿电压 70.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

输出电流Max 7 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VNV10N07

型号： VNV10N07

描述：？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

替代型号VNV10N07

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VNV10N07 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VNV10N07-E 意法半导体	完全替代	VNV10N07和VNV10N07-E的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

VNV10N07

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

VNV10N07-E

意法半导体

完全替代