VNB14N04-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNB14N04-E概述

“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFET

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 10A D2PAK

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

艾睿:
Linear current limitation

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 42V; 14A; 50W; D2PAK

VNB14N04-E中文资料参数规格

技术参数

额定功率 50 W

输出接口数 1

输出电流 14 A

通道数 1

漏源极电阻 70.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50.0 W

漏源击穿电压 42.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

输出电流Max 10 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNB14N04-E

型号： VNB14N04-E

描述：“ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFET

替代型号VNB14N04-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VNB14N04-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VNB14N04TR-E 意法半导体	完全替代	VNB14N04-E和VNB14N04TR-E的区别
VNB14N04 意法半导体	类似代替	VNB14N04-E和VNB14N04的区别
VNB14N0413TR 意法半导体	类似代替	VNB14N04-E和VNB14N0413TR的区别