STMICROELECTRONICS VNP20N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 V
The is a 70V Fully Auto Protected Power MOSFET made using VIPower technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
额定功率 83 W
输出接口数 1
输出电流 28 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
输入电压Max 18 V
输出电流Max 14 A
输入数 1
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 83000 mW
输入电压 18 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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