STMICROELECTRONICS VNB28N04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 51 V, 35 mohm, 10 V, 3 V
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 19A D2PAK
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
e络盟:
STMICROELECTRONICS VNB28N04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 51 V, 35 mohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Linear Current Limitation
输出接口数 1
针脚数 3
漏源极电阻 35 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 51 V
漏源击穿电压 42.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输出电流Max 19 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VNB28N04-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BTS133TC 英飞凌 | 功能相似 | VNB28N04-E和BTS133TC的区别 |
BTS133TCBUMA1 英飞凌 | 功能相似 | VNB28N04-E和BTS133TCBUMA1的区别 |