VND05BSP

VND05BSP图片1
VND05BSP图片2
VND05BSP图片3
VND05BSP图片4
VND05BSP图片5
VND05BSP概述

ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

Description

The is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower Technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side grounded.

This device has two channels, and a common diagnostic. Built-in thermal shutdown protects the chip from over temperature and short circuit.

The status output provides an indication of open load in on state, open load in off state, overtemperature conditions and stuck-on to VCC.

Features

■ Output current continuous: 9A @ Tc=85°C

■ 5V logic level compatible input

■ Thermal shutdown

■ Under voltage shutdown

■ Open drain diagnostic output

■ Inductive load fast demagnetization

■ Very low standby power dissipation

VND05BSP中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 26.0V max

输出接口数 2

输出电流 9 A

供电电流 0.035 mA

通道数 2

负载电流 9.00 A

漏源极电阻 200 mΩ

耗散功率 59 W

输出电流Max 1.6 A

输出电流Min 9 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 59000 mW

电源电压 6V ~ 26V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND05BSP
型号: VND05BSP
描述:ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
替代型号VND05BSP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND05BSP

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VND05BSP-E

意法半导体

类似代替

VND05BSP和VND05BSP-E的区别

VND05BSPTR-E

意法半导体

功能相似

VND05BSP和VND05BSPTR-E的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台