VND830LSP-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND830LSP-E概述

双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 18A 10-PowerSO

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

艾睿:
Power Switch Hi Side 18A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube

安富利:
Power Switch Hi Side 18A 10-Pin10+2Tab PowerSO Tube

Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 18A Automotive 10-Pin10+2Tab PowerSO Tube

VND830LSP-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 2

供电电流 0.012 mA

耗散功率 74000 mW

输出电流Max 18 A

输出电流Min 18 A

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VND830LSP-E引脚图与封装图

在线购买VND830LSP-E

型号： VND830LSP-E

描述：双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

替代型号VND830LSP-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VND830LSP-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VND830LSPTR-E 意法半导体	完全替代	VND830LSP-E和VND830LSPTR-E的区别
VND830LSP 意法半导体	完全替代	VND830LSP-E和VND830LSP的区别
VND830LSP13TR 意法半导体	功能相似	VND830LSP-E和VND830LSP13TR的区别