VND830AEP-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VND830AEP-E概述

MOSFET DRVR 6A 2Out Hi Side Non-Inv 24Pin PowerSSO EP Tube

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 6A PowerSSO-24

得捷:
IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO24

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VND830AEP E

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Gate Drivers DBLE CH HI-SIDE DRVR

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Driver 6A 2-OUT Hi Side Non-Inv Automotive 24-Pin PowerSSO EP Tube

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MOSFET DRVR 6A 2-OUT Hi Side Non-Inv 24-Pin PowerSSO EP Tube

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Driver 6A 2-OUT Hi Side Non-Inv Automotive 24-Pin PowerSSO EP Tube

Win Source:
IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSSO24

VND830AEP-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 2

供电电流 7 mA

耗散功率 8300 mW

输出电流Max 6 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 8300 mW

电源电压 13 V

电源电压Min 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 24

封装 PowerSSO-24

外形尺寸

封装 PowerSSO-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VND830AEP-E引脚图与封装图

在线购买VND830AEP-E

型号： VND830AEP-E

描述：MOSFET DRVR 6A 2Out Hi Side Non-Inv 24Pin PowerSSO EP Tube

替代型号VND830AEP-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VND830AEP-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
VND830AEPTR-E 意法半导体	完全替代	VND830AEP-E和VND830AEPTR-E的区别
VND5050AK-E 意法半导体	类似代替	VND830AEP-E和VND5050AK-E的区别
VND830ASP 意法半导体	类似代替	VND830AEP-E和VND830ASP的区别