VNP49N04-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNP49N04-E概述

MOSFET Transistor, N Channel, 49A, 42V, 0.02Ω, 10V, 800mV

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 30A TO-220AB

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

贸泽:
MOSFET N-Ch 42V 49A OmniFET

艾睿:
Power Switch Lo Side 1-OUT 49A 0.04Ohm 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

安富利:
Power Switch Lo Side 49A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

VNP49N04-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 42 V

漏源击穿电压 42.0 V

连续漏极电流Ids 49.0 A

输出电流Max 30 A

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： VNP49N04-E

描述：MOSFET Transistor, N Channel, 49A, 42V, 0.02Ω, 10V, 800mV