“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
电源开关/驱动器
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 70V 35A OmniFET
艾睿:
Power Switch Lo Side 30A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
安富利:
Power Switch Lo Side 30A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 30A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 30A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 30A D2PAK
额定电压DC 40.0 V
额定电流 30.0 A
输出接口数 1
输出电流 30 A
供电电流 0.1 mA
漏源极电阻 10.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源击穿电压 70.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
输出电流Max 30 A
输出电流Min 30 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VNB35NV04 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNB35NV0413TR 意法半导体 | 完全替代 | VNB35NV04和VNB35NV0413TR的区别 |
VNB35NV04-E 意法半导体 | 类似代替 | VNB35NV04和VNB35NV04-E的区别 |