VNV49N04参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNV49N04概述

â ???? OMNIFETâ ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFETâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

电源开关/驱动器 1：1 N 通道 28A 10-PowerSO

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

艾睿:
Linear Current Limitation

VNV49N04中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 40.0 mΩ

耗散功率 125 W

漏源击穿电压 42.0 V

连续漏极电流Ids 49.0 A

输出电流Max 28 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNV49N04

型号： VNV49N04

描述：â ???? OMNIFETâ ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFETâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

替代型号VNV49N04

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VNV49N04 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号

型号/品牌

代替类型

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VNV49N04

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号