VNQ810M-E

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VNQ810M-E概述

四通道高端驱动器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 700mA 28-SO


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 28SO


贸泽:
Gate Drivers Quad Channel Hi-Side


艾睿:
Quad channel high side current limit


VNQ810M-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 4

耗散功率 6250 mW

输出电流Max 700 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Min 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VNQ810M-E引脚图与封装图
VNQ810M-E引脚图
VNQ810M-E封装图
VNQ810M-E封装焊盘图
在线购买VNQ810M-E
型号: VNQ810M-E
描述:四通道高端驱动器 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
替代型号VNQ810M-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNQ810M-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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VNQ810MTR-E

意法半导体

完全替代

VNQ810M-E和VNQ810MTR-E的区别

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