VNB35NV0413TR

VNB35NV0413TR图片1
VNB35NV0413TR图片2
VNB35NV0413TR图片3
VNB35NV0413TR图片4
VNB35NV0413TR概述

MOSFET POWER 40V 30A D2PAK

电源开关/驱动器 1:1 N 通道 30A D2PAK


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK


艾睿:
Power Switch Lo Side 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


VNB35NV0413TR中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 10.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源击穿电压 70.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

输出电流Max 30 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNB35NV0413TR
型号: VNB35NV0413TR
描述:MOSFET POWER 40V 30A D2PAK
替代型号VNB35NV0413TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNB35NV0413TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VNB35NV04TR-E

意法半导体

完全替代

VNB35NV0413TR和VNB35NV04TR-E的区别

VNB35NV04

意法半导体

完全替代

VNB35NV0413TR和VNB35NV04的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台