VNV35NV04-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNV35NV04-E概述

Power Switch Lo Side 1Out 30A 0.01Ω Automotive 12Pin10+2Tab PowerSO Tube

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 30A 10-PowerSO

得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 40V 30A OmniFET

艾睿:
Power Switch Lo Side 30A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube

VNV35NV04-E中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 1

输出电流 30 A

漏源极电阻 10.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输出电流Max 30 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNV35NV04-E

型号： VNV35NV04-E

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：Power Switch Lo Side 1Out 30A 0.01Ω Automotive 12Pin10+2Tab PowerSO Tube

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替代型号VNV35NV04-E

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VNV35NV04TR-E 意法半导体	完全替代	VNV35NV04-E和VNV35NV04TR-E的区别

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