VND92013TR

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VND92013TR概述

双通道高侧固态继电器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 30A 28-SO


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 28SO


艾睿:
Power Switch Hi Side 35A 28-Pin SO T/R


Win Source:
RELAY SSR 2CH HI-SIDE 28-SOIC


VND92013TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 36.0V max

输出接口数 2

供电电流 25.0 mA

通道数 2

漏源极电阻 55.0 mΩ

耗散功率 6250 mW

输出电流Max 30 A

输出电流Min 35 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 6250 mW

电源电压 5.5V ~ 36V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

高度 2.35 mm

封装 SOIC-28

厚度 2.65 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买VND92013TR
型号: VND92013TR
描述:双通道高侧固态继电器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
替代型号VND92013TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND92013TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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VND920TR-E

意法半导体

完全替代

VND92013TR和VND920TR-E的区别

VND920

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完全替代

VND92013TR和VND920的区别

VND920PTR-E

意法半导体

类似代替

VND92013TR和VND920PTR-E的区别

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